SMD
它是Surface Mounted Devices的缩写，意为：表面贴装器件，它是SMT(Surface Mount Technology)元器件中的一种。在电子线路板生产的初级阶段，过孔装配完全由人工来完成。首批自动化机器推出后，它们可放置一些简单的引脚元件，但是复杂的元件仍需要手工放置方可进行回流焊。表面组装元件(Surface Mounted components)主要有矩形片式元件、圆柱形片式元件、复合片式元件、异形片式元件。具有组装密度高、电子产品体积小、重量轻，贴片元件的体积和重量只有传统插装元件的1/10左右，一般采用SMT之后，电子产品体积缩小40%~60%，重量减轻60%~80%。可靠性高、抗振能力强。焊点缺陷率低。高频特性好。减少了电磁和射频干扰。易于实现自动化，提高生产效率。降低成本达30%~50%。节省材料、能源、设备、人力、时间等特点。
COB
COB封装全称板上芯片封装(Chips on Board,COB)，是为了解决LED散热问题的一种技术。是将裸芯片用导电或非导电胶粘附在互连基板上，然后进行引线键合实现其电气连接。
COB封装如果裸芯片直接暴露在空气中，易受污染或人为损坏，影响或破坏芯片功能，于是就用胶把芯片和键合引线包封起来。人们也称这种封装形式为软包封。
COB因为直接在PCB板上实现裸芯封装，省去了支架和打线等工艺，因此无需面对如何过回流焊的技术难题。而COB封装技术的小间距LED产品具有产品密封性能好、对应用环境敏感度低、画面像素点柔和，观感好、整体坏点率低、采用更换CELL的方式进行坏点维护时的可维护性高、极高像素密度下的工艺流程简单，精细技术工艺步骤集中等应用的产业特点。只需要着力解决如何保证驱动IC芯片面过回流焊是时灯珠面不出现失效点，再者就是如何解决模组墨色一致性问题。
OLED
OLED(Organic Light-Emitting Diode)，又称为有机电激光显示、有机发光半导体(Organic Electroluminescence Display，OLED)。OLED属于一种电流型的有机发光器件，是通过载流子的注入和复合而致发光的现象，发光强度与注入的电流成正比。OLED在电场的作用下，阳极产生的空穴和阴极产生的电子就会发生移动，分别向空穴传输层和电子传输层注入，迁移到发光层。当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。
OLED是一种利用多层有机薄膜结构产生电致发光的器件，它很容易制作，而且只需要低的驱动电压，这些主要的特征使得OLED在满足平面显示器的应用上显得非常突出。OLED显示屏比LCD更轻薄、亮度高、功耗低、响应快、清晰度高、柔性好、发光效率高，能满足消费者对显示技术的新需求。全球越来越多的显示器厂家纷纷投入研发，大大的推动了OLED的产业化进程。
Mini LED
Mini LED定义为：芯片尺寸介于50~200μm之间的LED器件。由Mini LED像素阵列、驱动电路组成且像素中心间距为0.3-1.5mm的单元。
mini-LED比普通LED小，二极管的尺寸在0.008英寸(200微米)范围内，约为标准LED尺寸的五分之一
Micro LED
Micro LED显示技术是指以自发光的微米量级的LED为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。由于micro LED芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点, 在显示方面与 LCD、OLED相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。Micro LED是LED小型化和矩阵技术。简而言之，它是对LED背光进行细化，小型化和排列，这可以使LED单元小于100微米。
Micro LED是指「微发光二极管」，而MiniLED正式名称为「次毫米发光二极管」，两者尺寸基本上以100微米为界，约0.1毫米。不过如Micro LED已有3微米以下的原型，且技术难点也并不在于生产微缩晶粒。
简单的说，无论是Mini或Micro LED技术与之前讨论的最大不同主要在于后段制程，从巨量转移、封装测试，甚至到维修都是很大的挑战。
Mini LED 和 Micro LED 在小间距 LED 的基础上进一步缩小了灯珠间距和芯片尺寸，是小间距 LED 显示进一步精细化的结构。Mini LED 有两种定义，广义上指 LED灯珠像素点间距小于 P1.0，实现这类产品采用传统的 SMD 表贴封装、IMDN 合 1 封装、正装芯片 COB 封装等都可以做到。严格定义上，Mini LED 要求所封装的单颗芯片尺寸在 50~200um 之间，此类芯片只有采用倒装芯片技术才能实现。
从产品定义上看，按照相邻像素点间距大小划分，Mini LED 显示的定义为像素点间距在 P0.3-P1.0 之间的全彩 LED 显示屏，而目前市场上量产的多为 P0.9 产品;P0.3以下则为 Micro LED 的概念，受制于巨量转移等技术限制，Micro LED 目前尚处于技术攻关阶段。
目前多家 LED 显示企业均已推出了 P0.9mm 的产品，如利亚德、洲明、艾比森等，更有企业推出 P0.7mm、P0.6mm 等更小规格的产品，P0.6/0.7mm 多处于样品阶段，而能实现量产出货的产品目前为 P0.9mm，从 P0.9mm 的市场终端价格看，每平方的价格高达 20 万，5 平方米以上的应用金额即突破百万，高昂的成本导致目前市场应用定位在高端指挥室、会议室、高端私人家庭影院等高端市场。
Micro LED有两大瓶颈，一是红光，二是巨量转移。
首先在红光方面，江风益介绍到，RGB中蓝光用氮化镓，绿光也是氮化镓体系，红光用的是磷化镓。“Mini LED红光尺寸小一点可以过得去，但进入Micro LED，目前的红光就遇到了挑战。”
磷化镓效率低且材料比较脆，目前国际上的发展趋势是用第三代半导体氮化镓做红光。
其次巨量转移方面是Micro LED实现产业化必须解决的问题，也是降低成本的关键。据龚政介绍，目前巨量转移有多种技术，如激光转移、流体组装，或者静电组装等等，但目前均不能完美解决效率和成本的矛盾。判断巨量转移的技术具不具有先进性，首先要看是不是选择性转移，意味着想转移的地方就抓取，不想转移的地方就留在衬底上。这样可以节约Micro LED的材料。
温度换算
华氏温度与摄氏温度的关系：
摄氏温度规定：标准大气压下冰的熔点为0摄氏度，水的沸点为100摄氏度。
因此，易得出：F=(9/5) C+32
绝对零度 0 K=-273.15℃
华氏温度与热力学温度的关系：
热力学温度(又称开氏温度)(T)与华氏温度(F)的换算式是：
T = 5×(F- 32)/9+273.15
F = 9×(T-273.15)/5+32
绝对零度 0 K= -459.67 ℉
摄氏温度与热力学温度的关系：
T = C+273.15
C=T-273.15